Например, Бобцов

Новая аналитическая модель тока стока и параметров малых сигналов AlGaN-GaN транзисторов с высокой подвижностью электронов

Аннотация:

Предложена новая аналитическая модель тока стока в устройствах AlGaN-GaN транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе полиномиального выражения для уровня Ферми как функции концентрации носителей заряда. В ходе исследования изучено влияние паразитных сопротивлений (стороны истока и стока), высокоскоростного насыщения, количества алюминия в барьере AlGaN и низкой подвижности поля. Для выделения выходных характеристик, частоты среза и крутизны разработаны параметры гиперчастотного сигнала. Сравнение аналитических расчетов с экспериментальными измерениями подтвердило справедливость предложенной модели.

Ключевые слова:

Статьи в номере